もくじ情報：必要な予備知識；強誘電体の一般論；強誘電体の数学的取り扱い；材料およびデバイス設計と製造プロセス；高誘電率誘電体；強誘電体メモリデバイス；焦電デバイス；圧電デバイス；電気光学デバイス；ＰＴＣ材料；複合材料；強誘電体デバイスの将来

内野　研二(ウチノ　ケンジ)
１９５０年東京都に生まれる。１９７５年東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻修了。１９７６年東京工業大学工学部助手。１９７８年米国ペンシルベニア州立大学材質研究所研究員。１９８５年上智大学理工学部物理学科助教授。１９９１年米国ペンシルベニア州立大学工学部電気工学科教授。１９９２年同大学国際アクチュエータ・トランスデューサ研究所所長兼任。２００４年マイクロメカトロニクス社（米国）上級副社長兼職。工学博士。その間、宇宙開発事業団（ＮＡＳＤＡ）スペースシャトル利用委員会専門委員、東京セーバー電子株式会社監査役、ＮＦ回路設計ブロックシステム技術研究所副所長、ＮＦ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、ＵＳＡ副社長、通商産業省（現経済産業省）外郭日本工業技術振興協会固体アクチュエータ研究部会（現スマートアクチュエータ／センサ委員会）委員長を歴任