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本 >
工学
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半導体・ＩＣ
出版社名：丸善
出版年月：2011年1月
ISBN：978-4-621-08339-0
２４８Ｐ ２１ｃｍ
半導体デバイスシリーズ ４/パワーデバイス
權田俊一／編集 谷口研二／編集/大橋弘通／編著 葛原正明／編著 Ｇｏｕｒａｂ Ｍａｊｕｍｄａｒ／〔ほか〕著
組合員価格 税込
5,957
円
(通常価格 税込 6,270円)
割引率 5%
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※ご注文が集中した場合、お届けが遅れる場合がございます。
内容紹介・もくじなど
電力変換・電力増幅デバイス、それぞれの役割と性能を解説。
もくじ情報：１ パワーデバイスの世界（パワーデバイスの定義；電力変換の基礎；電力増幅の基礎；電力変換と電力増幅）；２ パワーデバイスの基礎（パワーデバイスの種類；パワーデバイスの性能；半導体デバイスの基礎理論）；３ シリコンパワーデバイス（電力変換デバイスの種類とその特徴；ダイオード；ＭＯＳＦＥＴ；ＩＧＢＴ；パワーデバイスの新しい展開）；４ 化合物パワーデバイス（化合物半導体材料の特徴；シリコンカーバイドデバイス；窒化物パワーデバイス）；５ 高周波パワーデバイス（ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）；ヘテロ接合バイポーラトランジス…（
続く
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權田俊一／監修 酒井忠司／編集委員 田畑仁／編集委員 八瀬清志／編集委員
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