|
内容紹介・もくじなど
著者プロフィール
松田 順一(マツダ ジュンイチ)
1979年同志社大学大学院工学研究科電気工学専攻博士前期課程修了。同年から2005年まで東京三洋電機(後、三洋電機)株式会社、2005年から2009年まで東光株式会社、2009年から2013年まで旭化成東光パワーデバイス(後、旭化成パワーデバイス)株式会社に勤務。2002年から2023年まで群馬大学で通算12年間客員教授、現在協力研究員。1995年博士(工学)(同志社大学)。メモリなどの微細デバイス、パワーデバイスなどの研究開発及び量産に従事(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 松田 順一(マツダ ジュンイチ)
1979年同志社大学大学院工学研究科電気工学専攻博士前期課程修了。同年から2005年まで東京三洋電機(後、三洋電機)株式会社、2005年から2009年まで東光株式会社、2009年から2013年まで旭化成東光パワーデバイス(後、旭化成パワーデバイス)株式会社に勤務。2002年から2023年まで群馬大学で通算12年間客員教授、現在協力研究員。1995年博士(工学)(同志社大学)。メモリなどの微細デバイス、パワーデバイスなどの研究開発及び量産に従事(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) |
もくじ情報:第1章 パワー半導体デバイスとは?;第2章 パワー半導体材料の基本特性;第3章 整流動作の基本となるPN接合ダイオード;第4章 低電圧整流動作に使うショットキーバリアダイオード「SBD」;第5章 高電圧整流動作に使うPiNダイオード;第6章 低電圧スイッチングに使うパワーMOSFET;第7章 高電圧スイッチングに使うIGBT…(続く)
もくじ情報:第1章 パワー半導体デバイスとは?;第2章 パワー半導体材料の基本特性;第3章 整流動作の基本となるPN接合ダイオード;第4章 低電圧整流動作に使うショットキーバリアダイオード「SBD」;第5章 高電圧整流動作に使うPiNダイオード;第6章 低電圧スイッチングに使うパワーMOSFET;第7章 高電圧スイッチングに使うIGBT;第8章 高速スイッチングに使うGaN HEMT