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出版社名：丸善
出版年月：2009年12月
ISBN：978-4-621-08213-3
２９２Ｐ　２１ｃｍ

半導体デバイスシリーズ　２/メモリデバイス・イメージセンサ/半導体デバイスシリーズ　　　２

権田俊一／編集　谷口研二／編集/角南英夫／編著　川人祥二／編著　有本和民／〔ほか〕著

組合員価格税込 5,643円
(通常価格税込 6,270円)
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メモリデバイスとイメージセンサの動作原理、特性を十分な深さで理解できるよう解説。若手技術者、大学院生のテキストとしても最適。

内容紹介・もくじなど

メモリデバイスとイメージセンサについて、本質（動作原理、特性）を十分な深さで理解できるよう解説。第１編では、ＤＲＡＭからフラッシュメモリへの研究開発の流れ、そしてＦＥＴの代替デバイスの開発状況について重要なポイントが理解できる。第２編では、市場を二分するＣＣＤと、ＣＭＯＳイメージセンサの実像をあますことなく明らかにする。
もくじ情報：第１編　メモリデバイス（メモリデバイスの基礎；量産中のメモリ；小規模生産中のメモリ；今後に期待されるメモリ）；第２編　イメージセンサ（イメージセンサの基礎；ＣＣＤイメージセンサ；ＣＭＯＳイメージセンサ）

著者プロフィール

角南　英夫(スナミ　ヒデオ)
広島大学名誉教授

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