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本 > 工学 > 電気電子工学 > 半導体・ＩＣ
出版社名：丸善
出版年月：2009年11月
ISBN：978-4-621-08208-9
２２７Ｐ　２１ｃｍ
半導体デバイスシリーズ　１/集積ナノデバイス/半導体デバイスシリーズ　　　１
権田俊一／編集　谷口研二／編集/平本俊郎／編著　内田建／著　杉井信之／著　竹内潔／著
 
組合員価格 税込 5,016円
(通常価格 税込 5,280円)
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シリーズ第１巻。ナノスケール以下のＶＬＳＩの集積化技術について、動作原理の基礎と各諸問題の技術的背景、その対処法をまとめる。
シリーズ第１巻。ナノスケール以下のＶＬＳＩの集積化技術について、動作原理の基礎と各諸問題の技術的背景、その対処法をまとめる。
内容紹介・もくじなど
変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
もくじ情報：１　序論（スケーリング則とムーアの法則；集積ナノデバイスの諸問題　ほか）；２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作；ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）；３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジス…（続く）
変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
もくじ情報：１　序論（スケーリング則とムーアの法則；集積ナノデバイスの諸問題　ほか）；２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作；ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）；３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ；移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））；４　微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題；微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性　ほか）；５　将来展望（将来に向けての技術動向；集積ナノデバイスマップ　ほか）

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