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半導体・IC
出版社名:朝倉書店
出版年月:2014年9月
ISBN:978-4-254-22165-7
190P 26cm
絵から学ぶ半導体デバイス工学
谷口研二/著 宇野重康/著
組合員価格 税込
3,762
円
(通常価格 税込 3,960円)
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内容紹介・もくじなど
内容紹介:量子力学の知識がなくても半導体デバイスの動作の本質をできるよう,直感的なイメージ図を多用した好評の教科書.[内容]シリコン基板中における電子輸送/PN接合とはなにか/MOSFETの動作を理解する/バイポーラ素子/光デバイス
もくじ情報:1 シリコン基板中における電子輸送(シリコン結晶の物理;シリコン結晶中でのキャリアの移動);2 PN接合(PN接合とは何か;PN接合の電流電圧特性;PN接合の電気容量;PN接合の破壊現象);3 MOSFETの動作を理解する(CPU開発の歴史;MOSFETの構造と動作原理;MOSFETの電気的特性;MOSFETの性能を表すパラメータ;MOSFETでの諸現…(
続く
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内容紹介:量子力学の知識がなくても半導体デバイスの動作の本質をできるよう,直感的なイメージ図を多用した好評の教科書.[内容]シリコン基板中における電子輸送/PN接合とはなにか/MOSFETの動作を理解する/バイポーラ素子/光デバイス
もくじ情報:1 シリコン基板中における電子輸送(シリコン結晶の物理;シリコン結晶中でのキャリアの移動);2 PN接合(PN接合とは何か;PN接合の電流電圧特性;PN接合の電気容量;PN接合の破壊現象);3 MOSFETの動作を理解する(CPU開発の歴史;MOSFETの構造と動作原理;MOSFETの電気的特性;MOSFETの性能を表すパラメータ;MOSFETでの諸現象;短チャネル効果);4 バイポーラ素子(バイポーラ素子とは?;バイポーラトランジスタの動作原理;バイポーラトランジスタの素子特性);5 光デバイス(半導体の発光・受光の原理;発光素子;受光素子)
著者プロフィール
谷口 研二(タニグチ ケンジ)
1975年大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程中退。大阪大学大学院工学研究科教授をへて現在、奈良工業高等専門学校校長。工学博士
谷口 研二(タニグチ ケンジ)
1975年大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程中退。大阪大学大学院工学研究科教授をへて現在、奈良工業高等専門学校校長。工学博士
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もくじ情報:1 シリコン基板中における電子輸送(シリコン結晶の物理;シリコン結晶中でのキャリアの移動);2 PN接合(PN接合とは何か;PN接合の電流電圧特性;PN接合の電気容量;PN接合の破壊現象);3 MOSFETの動作を理解する(CPU開発の歴史;MOSFETの構造と動作原理;MOSFETの電気的特性;MOSFETの性能を表すパラメータ;MOSFETでの諸現象;短チャネル効果);4 バイポーラ素子(バイポーラ素子とは?;バイポーラトランジスタの動作原理;バイポーラトランジスタの素子特性);5 光デバイス(半導体の発光・受光の原理;発光素子;受光素子)