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出版社名:コロナ社
出版年月:2026年4月
ISBN:978-4-339-01502-7
216P 21cm
半導体デバイス基礎の基礎
廣芝伸哉/著
組合員価格 税込 3,069
(通常価格 税込 3,410円)
割引率 10%
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内容紹介・もくじなど
もくじ情報:1章 電気伝導から考える金属・絶縁体・半導体;2章 半導体物理の基礎―量子力学と統計力学;3章 結晶構造と電子状態;4章 キャリヤ密度と電気伝導;5章 pn接合;6章 トランジスタの基礎―BJTとMOSFET、異種界面;7章 半導体集積回路の製造プロセス;8章 半導体開発を支えるシミュレーション技術;9章 先進半導体材料;10章 薄膜成長技術の基礎;11章 各種半導体デバイス・センサ
もくじ情報:1章 電気伝導から考える金属・絶縁体・半導体;2章 半導体物理の基礎―量子力学と統計力学;3章 結晶構造と電子状態;4章 キャリヤ密度と電気伝導;5章 pn接合;6章 トランジスタの基礎―BJTとMOSFET、異種界面;7章 半導体集積回路の製造プロセス;8章 半導体開発を支えるシミュレーション技術;9章 先進半導体材料;10章 薄膜成長技術の基礎;11章 各種半導体デバイス・センサ
著者プロフィール
廣芝 伸哉(ヒロシバ ノブヤ)
2004年大阪市立大学理学部物質科学科卒業。2024年 大阪工業大学准教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
廣芝 伸哉(ヒロシバ ノブヤ)
2004年大阪市立大学理学部物質科学科卒業。2024年 大阪工業大学准教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)