ｐｎ接合・ＭＯＳ構造の動作メカニズム、ＳｉＣ／ＧａＮの物性・プロセス技術から、次世代ワイドバンドギャップ半導体の最前線まで解説！
もくじ情報：第１章　パワー半導体はＥＶ・太陽光・データセンタでどう使われるのか；第２章　パワー半導体デバイスの基本―ｐｎ接合、金属半導体接合、そしてＭＯＳ構造―；第３章　パワー半導体デバイスの種類と特徴；第４章　シリコンＭＯＳＦＥＴ；第５章　シリコンＩＧＢＴ；第６章　シリコンＭＯＳＦＥＴならびにＩＧＢＴの作製プロセス；第７章　ワイドバンドギャップ半導体が優れる理由；第８章　ワイドバンドギャップ　パワー半導体デバイス１―ＳｉＣパワー半導体デバイス―；第９章　ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス２―ＧａＮパワー半導体デバイス―

岩室　憲幸(イワムロ　ノリユキ)
１９６２年東京都板橋区生まれ。１９９８年博士（工学）（早稲田大学）。職歴：１９８４年富士電機株式会社入社。１９８８年からシリコンＩＧＢＴ、ダイオードならびにＳｉＣデバイスの研究開発、製品化に従事。２０１３年４月―筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授。専門：シリコンならびにＳｉＣパワーデバイスの設計ならびに評価・解析（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）