もくじ情報：１章　半導体とＭＯＳトランジスタの簡単な説明；２章　半導体の基礎物理；３章　ｐｎ接合ダイオード；４章　バイポーラトランジスタ；５章　ＭＯＳキャパシタ；６章　ＭＯＳトランジスタ；７章　超ＬＳＩデバイス；付録

執行　直之(シギョウ　ナオユキ)
千葉大学工学部電子工学科卒、１９８０年東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士（工学）。ＩＥＥＥ　Ｆｅｌｌｏｗ。１９８０年（株）東芝に入社。総合研究所、システムＬＳＩ事業部などを経て、現在はメモリ事業部担当部長。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。１９８２年に３次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超ＬＳＩの実現に貢献した（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）