ようこそ!
マイページ
ご利用ガイド
組合員情報の変更
メールアドレスの変更
ログイン
サイトトップ
e
フレンズトップ
すべて
本
雑誌
CD
DVD・Blu-ray
クリア
本 こだわり検索
書名
著者名
商品説明
出版社名
出版年月
―
2026
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
1995
1994
1993
1992
1991
1990
1989
1988
1987
1986
1985
1984
1983
1982
年
―
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
月
以前
のみ
以降
ジャンル
選択してください
文庫
新書・選書
文芸
教養
人文
教育
芸術
児童
趣味
生活
地図・ガイド
就職・資格
語学
小学学参
中学学参
高校学参
辞典
コミック
ゲーム攻略本
エンターテイメント
日記手帳
社会
法律
経済
経営
ビジネス
理学
工学
コンピュータ
医学
看護学
薬学
ISBNコード
予約商品を表示しない
検索
クリア
本 >
工学
>
電気電子工学
>
半導体・IC
出版社名:丸善
出版年月:2011年1月
ISBN:978-4-621-08339-0
248P 21cm
半導体デバイスシリーズ 4/パワーデバイス
權田俊一/編集 谷口研二/編集/大橋弘通/編著 葛原正明/編著 Gourab Majumdar/〔ほか〕著
組合員価格 税込
5,643
円
(通常価格 税込 6,270円)
割引率 10%
お取り寄せ
お届け日未定
※ご注文が集中した場合、お届けが遅れる場合がございます。
内容紹介・もくじなど
電力変換・電力増幅デバイス、それぞれの役割と性能を解説。
もくじ情報:1 パワーデバイスの世界(パワーデバイスの定義;電力変換の基礎;電力増幅の基礎;電力変換と電力増幅);2 パワーデバイスの基礎(パワーデバイスの種類;パワーデバイスの性能;半導体デバイスの基礎理論);3 シリコンパワーデバイス(電力変換デバイスの種類とその特徴;ダイオード;MOSFET;IGBT;パワーデバイスの新しい展開);4 化合物パワーデバイス(化合物半導体材料の特徴;シリコンカーバイドデバイス;窒化物パワーデバイス);5 高周波パワーデバイス(ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT);ヘテロ接合バイポーラトランジス…(
続く
)
電力変換・電力増幅デバイス、それぞれの役割と性能を解説。
もくじ情報:1 パワーデバイスの世界(パワーデバイスの定義;電力変換の基礎;電力増幅の基礎;電力変換と電力増幅);2 パワーデバイスの基礎(パワーデバイスの種類;パワーデバイスの性能;半導体デバイスの基礎理論);3 シリコンパワーデバイス(電力変換デバイスの種類とその特徴;ダイオード;MOSFET;IGBT;パワーデバイスの新しい展開);4 化合物パワーデバイス(化合物半導体材料の特徴;シリコンカーバイドデバイス;窒化物パワーデバイス);5 高周波パワーデバイス(ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT);ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT))
同じ著者名で検索した本
薄膜作製応用ハンドブック
權田俊一/監修 酒井忠司/編集委員 田畑仁/編集委員 八瀬清志/編集委員
もくじ情報:1 パワーデバイスの世界(パワーデバイスの定義;電力変換の基礎;電力増幅の基礎;電力変換と電力増幅);2 パワーデバイスの基礎(パワーデバイスの種類;パワーデバイスの性能;半導体デバイスの基礎理論);3 シリコンパワーデバイス(電力変換デバイスの種類とその特徴;ダイオード;MOSFET;IGBT;パワーデバイスの新しい展開);4 化合物パワーデバイス(化合物半導体材料の特徴;シリコンカーバイドデバイス;窒化物パワーデバイス);5 高周波パワーデバイス(ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT);ヘテロ接合バイポーラトランジス…(続く)
もくじ情報:1 パワーデバイスの世界(パワーデバイスの定義;電力変換の基礎;電力増幅の基礎;電力変換と電力増幅);2 パワーデバイスの基礎(パワーデバイスの種類;パワーデバイスの性能;半導体デバイスの基礎理論);3 シリコンパワーデバイス(電力変換デバイスの種類とその特徴;ダイオード;MOSFET;IGBT;パワーデバイスの新しい展開);4 化合物パワーデバイス(化合物半導体材料の特徴;シリコンカーバイドデバイス;窒化物パワーデバイス);5 高周波パワーデバイス(ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT);ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT))