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出版社名：丸善
出版年月：2011年1月
ISBN：978-4-621-08339-0
２４８Ｐ　２１ｃｍ

半導体デバイスシリーズ　４/パワーデバイス

權田俊一／編集　谷口研二／編集/大橋弘通／編著　葛原正明／編著　Ｇｏｕｒａｂ　Ｍａｊｕｍｄａｒ／〔ほか〕著

組合員価格税込 5,643円
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内容紹介・もくじなど

電力変換・電力増幅デバイス、それぞれの役割と性能を解説。
もくじ情報：１　パワーデバイスの世界（パワーデバイスの定義；電力変換の基礎；電力増幅の基礎；電力変換と電力増幅）；２　パワーデバイスの基礎（パワーデバイスの種類；パワーデバイスの性能；半導体デバイスの基礎理論）；３　シリコンパワーデバイス（電力変換デバイスの種類とその特徴；ダイオード；ＭＯＳＦＥＴ；ＩＧＢＴ；パワーデバイスの新しい展開）；４　化合物パワーデバイス（化合物半導体材料の特徴；シリコンカーバイドデバイス；窒化物パワーデバイス）；５　高周波パワーデバイス（ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）；ヘテロ接合バイポーラトランジス…（続く）

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