デバイス物理の基礎的部分をより解り易くし、さらに最近のデバイスを理解するうえで必要な新知識を追加。大幅に新しくなった改訂版。

本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。
もくじ情報：第１部　半導体物理（エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度；キャリアの輸送現象）；第２部　半導体デバイス（ｐ‐ｎ接合；バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス；ＭＯＳＦＥＴと関連デバイス　ほか）；第３部　半導体技術（結晶成長とエピタキシィ；薄膜の形成；リソグラフィとエッチング　ほか）

ジィー，Ｓ．Ｍ．(ジィー，Ｓ．Ｍ．)
現在、台湾Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｈｉａｏ　Ｔｕｎｇ　ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙのＵＭＣ　Ｃｈａｉｒ　ＰｒｏｆｅｓｓｏｒでありＮａｔｉｏｎａｌ　Ｎａｎｏ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Ｓｚｅ教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもＰＨＹＳＩＣＳ　ＯＦ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ　ＤＥＶＩＣＥＳは古典的な参考書とされている。１９９１年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりＩＥＥＥ　Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ賞を受賞している。ＰｈＤは、固体電子工学に関して１９６３年スタンフォード大学より受けている