基礎的な原理の説明から、原理の応用、先端の設計事例にいたるまで、体系的に解説されたこの分野のバイブル。第４版ではナノメータ時代の設計技術に関する内容が充実。素子の微細化がＬＳＩ設計に与える課題として、素子の性能ばらつき、消費電力の増大、信号線および電源線のノイズ、クロック信号に関する設計を取り上げ、また６５ナノメータの製造プロセスを使用した場合の例題を数多く示し、あらゆる読者のニーズに応えた内容。
もくじ情報：第１章　はじめに；第２章　ＭＯＳトランジスタの理論；第３章　ＣＭＯＳプロセス技術；第４章　遅延；第５章　消費電力；第６章　配線；第７章　ロバスト性；第８章　回路シミュレーション

ウェスト，ニール・Ｈ．Ｅ．(ウェスト，ニールＨ．Ｅ．)
マクオーリー大学およびアデレード大学兼任教授。小規模の研究開発会社も経営。アデレード大学大学院修了。Ｐｈ．Ｄ．ベル研究所、デューク大学、ノースカロライナ大学等をへて現職