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半導体・IC
出版社名:数理工学社
出版年月:2014年9月
ISBN:978-4-86481-018-0
272P 22cm
半導体デバイス入門 その原理と動作のしくみ/新・電子システム工学 TKR-6
柴田直/著
組合員価格 税込
2,574
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内容紹介・もくじなど
電子・電気工学の学生を対象に、半導体デバイスとはなにか、どんな原理で働くのかを丁寧に解説。半導体デバイスの動作原理を基礎から最先端の研究・開発に必要な知識までしっかりと習得できるようにした。多数の図表と章末問題を通して、半導体デバイスの動作原理を直観的に理解できるよう、説明に工夫を凝らした。
もくじ情報:第1章 デバイスの概念;第2章 結晶中の電子の振る舞い;第3章 半導体中の電子とホール;第4章 半導体中の電気伝導;第5章 PN接合;第6章 金属と半導体の接合;第7章 バイポーラトランジスタ;第8章 MOSトランジスタ;第9章 パワー半導体デバイスの考え方
電子・電気工学の学生を対象に、半導体デバイスとはなにか、どんな原理で働くのかを丁寧に解説。半導体デバイスの動作原理を基礎から最先端の研究・開発に必要な知識までしっかりと習得できるようにした。多数の図表と章末問題を通して、半導体デバイスの動作原理を直観的に理解できるよう、説明に工夫を凝らした。
もくじ情報:第1章 デバイスの概念;第2章 結晶中の電子の振る舞い;第3章 半導体中の電子とホール;第4章 半導体中の電気伝導;第5章 PN接合;第6章 金属と半導体の接合;第7章 バイポーラトランジスタ;第8章 MOSトランジスタ;第9章 パワー半導体デバイスの考え方
著者プロフィール
柴田 直(シバタ タダシ)
1971年大阪大学工学部電子工学科卒業。1974年大阪大学大学院・基礎工学研究科・物性学専攻を博士課程1年で中退、大学院では物性理論の研究を行う。1974年東芝入社、総合研究所にてMO集積回路の研究開発に従事。1978年~1980年スタンフォード大客員研究員としてレーザアニールの研究を行う。1984年この研究により東京大学より工学博士の学位を授与される。1986年東芝を退社、東北大学工学部電子工学科助教授に着任、低温半導体プロセスの研究から知能デバイスの研究を行う。1997年東京大学院工学系研究科電気系工学専攻教授に着任。現在、東京大学名誉教授、東北大学特任教授。応…(
続く
)
柴田 直(シバタ タダシ)
1971年大阪大学工学部電子工学科卒業。1974年大阪大学大学院・基礎工学研究科・物性学専攻を博士課程1年で中退、大学院では物性理論の研究を行う。1974年東芝入社、総合研究所にてMO集積回路の研究開発に従事。1978年~1980年スタンフォード大客員研究員としてレーザアニールの研究を行う。1984年この研究により東京大学より工学博士の学位を授与される。1986年東芝を退社、東北大学工学部電子工学科助教授に着任、低温半導体プロセスの研究から知能デバイスの研究を行う。1997年東京大学院工学系研究科電気系工学専攻教授に着任。現在、東京大学名誉教授、東北大学特任教授。応用物理学会・物理系学術誌刊行センターAPEX/JJAP専任編集長(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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もくじ情報:第1章 デバイスの概念;第2章 結晶中の電子の振る舞い;第3章 半導体中の電子とホール;第4章 半導体中の電気伝導;第5章 PN接合;第6章 金属と半導体の接合;第7章 バイポーラトランジスタ;第8章 MOSトランジスタ;第9章 パワー半導体デバイスの考え方
もくじ情報:第1章 デバイスの概念;第2章 結晶中の電子の振る舞い;第3章 半導体中の電子とホール;第4章 半導体中の電気伝導;第5章 PN接合;第6章 金属と半導体の接合;第7章 バイポーラトランジスタ;第8章 MOSトランジスタ;第9章 パワー半導体デバイスの考え方