豊富な図でわかりやすく解説。
もくじ情報：第１章　パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス（インバータ回路の種類；パワー半導体デバイスの役割とその課題　ほか）；第２章　シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展（開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス；シリコンＭＯＳＦＥＴ・ＩＧＢＴを支える最新技術　ほか）；第３章　ＳｉＣパワー半導体デバイスの進展（ＳｉＣパワー半導体デバイス優位点のおさらい；ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴかＳｉＣ　ＩＧＢＴか　ほか）；第４章　ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ破壊耐量（安全動作領域；負荷短絡耐量　ほか）；第５章　ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ実装技術（必要となる要素技術；ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴパッケージ内に取り込まれた要素技術）

岩室　憲幸(イワムロ　ノリユキ)
１９６２年東京都板橋区生まれ。２０１３年４月筑波大学数理物質系物理工学域教授。専門：ＳｉＣパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会：電気学会上級会員、応用物理学会会員、ＩＥＥＥ　Ｓｅｎｉｏｒ　Ｍｅｍｂｅｒ（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）