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半導体・IC
出版社名:森北出版 〔東京〕 ワコー(印刷製本)
出版年月:2025年1月
ISBN:978-4-627-77389-9
189P 22cm
MOS集積回路の設計・製造と信頼性技術
大山英典/〔ほか〕共著
組合員価格 税込
3,168
円
(通常価格 税込 3,520円)
割引率 10%
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内容紹介・もくじなど
もくじ情報:第1章 集積回路の現状と課題(半導体市場と技術動向;設計と信頼性技術の現状 ほか);第2章 集積回路の基礎(半導体の種類;Si半導体 ほか);第3章 MOS集積回路の構成と設計技術(ディジタル回路;アナログ回路 ほか);第4章 MOS集積回路の製造技術(製造環境;洗浄技術 ほか);第5章 MOS集積回路の信頼性技術(半導体デバイスの信頼性;半導体デバイスの信頼性評価 ほか)
もくじ情報:第1章 集積回路の現状と課題(半導体市場と技術動向;設計と信頼性技術の現状 ほか);第2章 集積回路の基礎(半導体の種類;Si半導体 ほか);第3章 MOS集積回路の構成と設計技術(ディジタル回路;アナログ回路 ほか);第4章 MOS集積回路の製造技術(製造環境;洗浄技術 ほか);第5章 MOS集積回路の信頼性技術(半導体デバイスの信頼性;半導体デバイスの信頼性評価 ほか)
著者プロフィール
大山 英典(オオヤマ ヒデノリ)
1982年豊橋技術科学大学修士課程修了。2000年熊本電波高専教授。専門分野:半導体デバイスの放射線損傷機構
大山 英典(オオヤマ ヒデノリ)
1982年豊橋技術科学大学修士課程修了。2000年熊本電波高専教授。専門分野:半導体デバイスの放射線損傷機構
1982年豊橋技術科学大学修士課程修了。2000年熊本電波高専教授。専門分野:半導体デバイスの放射線損傷機構
1982年豊橋技術科学大学修士課程修了。2000年熊本電波高専教授。専門分野:半導体デバイスの放射線損傷機構