もくじ情報：第１部　序論（Ｓｉの熱酸化機構とＳｉＯ２特性）；第２部　ゲートスタック（絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術―物理的理解と信頼性；ＳｉＣ　ＭＯＳ；ＳｉＧｅの参加とＭＯＳ界面特性）；第３部　酸化過程および酸化膜解析（Ｓｉ酸化の素過程；チャージポンピング法で見たＳｉ／ＳｉＯ２界面欠陥；ＥＳＲ分光でみる界面欠陥：ＳｉとＳｉＣ；共鳴核反応法による酸化膜中の水分析）；第４部　酸化機構（第一原理計算から見たＳｉの酸化機構；Ｓｉ酸化の速度論；ＳｉＣの表面酸化機構と酸化に伴う表面現象の理解；ＳｉＣ酸化の速度論；Ｇｅの酸化）