超ＬＳＩ共同研究所は１９７５年からの４年間、将来の超ＬＳＩを作る基礎的共通的な製造装置の開発を行い、１９８０年３月に任務を終えて解散した。開発された製造装置は、研究組合の構成会社である、富士通、日立、三菱、日電、東芝の各社に納入された。その後５社が競ってこれらを使用し、半導体素子の生産を行い、その結果、半導体デバイスの日本のシェアが急増して５０％を超える事になる。その間、対米対策の不備から、米国の安全保障という壁によって反発され、「日本で使うＩＣの２０％を輸入品（当時米国製）とする」、「日本の輸出価額は米国が決める」という日米半導体協定を結ばされ、日本のシェアは下がって行くのである。しかし、半導体製造装置は健在で、世界市場シェアの多くを占めている。
もくじ情報：序論―日本の半導体は世界シェア５０％を得た後、なぜ下降を辿ったのか；１章　超ＬＳＩ共同研究所の設立前夜とその成果；２章　電子線源と電子光学系；３章　微細電子線描画・検査技術とその変遷；４章　可変成形ビームベクタースキャン型電子ビーム描画装置；５章　汎用型電子線描画技術とその周辺技術の開発；６章　結晶技術；７章　クリーン技術と露光技術；８章　デバイス基礎技術および試験評価基礎技術

垂井　康夫(タルイ　ヤスオ)
１９２９年東京小石川生まれ、１９５１年早稲田大学第一理工学部電気工学科卒業後、工業技術院電気試験所入所。以降、ＩＣ（集積回路）の開発に従事、１９６５年工学博士（東京大学）ショットキーＴＴＬ素子、電子ビーム描画装置、ＬＳＩテスター等を発明、開発し、半導体産業の発展に寄与した。１９７６年超ＬＳＩ技術研究組合共同研究所所長に就任、各メーカーら出向して来た研究員を統率し多大なるリーダーシップを発揮した。その後東京農工大学、早稲田大学において、学生、研究者の指導に当たる。東京農工大学名誉教授、現在カシオ科学振興財団理事（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）