シリーズ第１巻。ナノスケール以下のＶＬＳＩの集積化技術について、動作原理の基礎と各諸問題の技術的背景、その対処法をまとめる。

変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
もくじ情報：１　序論（スケーリング則とムーアの法則；集積ナノデバイスの諸問題　ほか）；２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作；ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）；３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ；移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））；４　微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題；微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性　ほか）；５　将来展望（将来に向けての技術動向；集積ナノデバイスマップ　ほか）