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出版社名:内田老鶴圃
出版年月:2023年12月
ISBN:978-4-7536-5051-4
220P 21cm
化合物半導体のエピタキシャル成長 多様な成長技術とその応用
堀越佳治/共著 河原塚篤/共著
組合員価格 税込 4,356
(通常価格 税込 4,840円)
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内容紹介・もくじなど
もくじ情報:第1章 半導体の種類と特徴;第2章 化合物半導体エピタキシャル成長の概要;第3章 液相エピタキシャル成長法(LPE)とその応用;第4章 有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)とその応用;第5章 分子線エピタキシャル成長法(MBE)とその応用;第6章 MOVPEにおける流量変調エピタキシー(FME);第7章 MBEにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー(MEE);第8章 選択エピタキシャル成長法(SAE);第9章 エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ(LD)への応用
もくじ情報:第1章 半導体の種類と特徴;第2章 化合物半導体エピタキシャル成長の概要;第3章 液相エピタキシャル成長法(LPE)とその応用;第4章 有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)とその応用;第5章 分子線エピタキシャル成長法(MBE)とその応用;第6章 MOVPEにおける流量変調エピタキシー(FME);第7章 MBEにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー(MEE);第8章 選択エピタキシャル成長法(SAE);第9章 エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ(LD)への応用
著者プロフィール
堀越 佳治(ホリコシ ヨシジ)
東北大学工学部電気工学科卒、同大大学院工学研究科電子工学専攻修士課程、博士課程修了。工学博士。NTT基礎研究所研究員、ドイツ・マックスプランク固体研究所研究員、北海道大学客員教授、東北大学客員教授を経て、早稲田大学理工学部教授。早稲田大学名誉教授
堀越 佳治(ホリコシ ヨシジ)
東北大学工学部電気工学科卒、同大大学院工学研究科電子工学専攻修士課程、博士課程修了。工学博士。NTT基礎研究所研究員、ドイツ・マックスプランク固体研究所研究員、北海道大学客員教授、東北大学客員教授を経て、早稲田大学理工学部教授。早稲田大学名誉教授