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内容紹介・もくじなど
著者プロフィール
岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
1962年東京都板橋区生まれ。2013年4月筑波大学数理物質系物理工学域教授。専門:SiCパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会:電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Member(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
1962年東京都板橋区生まれ。2013年4月筑波大学数理物質系物理工学域教授。専門:SiCパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会:電気学会上級会員、応用物理学会会員、IEEE Senior Member(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) |
もくじ情報:第1章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス(インバータ回路の種類;パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか);第2章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展(開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス;シリコンMOSFET・IGBTを支える最新技術 ほか);第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展(SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい;SiC MOSFETかSiC IGBTか ほか);第4章 SiC MOSFET破壊耐量(安全動作領域;負荷短絡耐量 ほか);第5章 SiC MOSFET実装技術(必要となる要…(続く)
もくじ情報:第1章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス(インバータ回路の種類;パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか);第2章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展(開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス;シリコンMOSFET・IGBTを支える最新技術 ほか);第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展(SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい;SiC MOSFETかSiC IGBTか ほか);第4章 SiC MOSFET破壊耐量(安全動作領域;負荷短絡耐量 ほか);第5章 SiC MOSFET実装技術(必要となる要素技術;SiC MOSFETパッケージ内に取り込まれた要素技術)